IRF7468TRPBF

IRF7468TRPBF Infineon / IR


irf7468pbf-1732593.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 40V 9A 15.5mOhm 23nC
на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7468TRPBF Infineon / IR

Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IRF7468TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7468TRPBF Виробник : IOR
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7468TRPBF Виробник : IOR 09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7468TRPBF Виробник : IR 09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7468TRPBF Виробник : IR SOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7468TRPBF IRF7468TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7468-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7468TRPBF IRF7468TRPBF Виробник : International Rectifier Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
товар відсутній