IRF7469TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7469TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.
Інші пропозиції IRF7469TRPBF за ціною від 25.75 грн до 93.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 7614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 16731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF7469TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 16731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.33 грн |
| 8000+ | 30.64 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.44 грн |
| 8000+ | 30.74 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 434+ | 32.59 грн |
| 438+ | 32.27 грн |
| 445+ | 31.77 грн |
| 447+ | 30.46 грн |
| 500+ | 26.82 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 413+ | 34.25 грн |
| 426+ | 33.19 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.09 грн |
| 24+ | 32.59 грн |
| 25+ | 32.27 грн |
| 100+ | 30.64 грн |
| 250+ | 28.21 грн |
| 500+ | 25.75 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 658+ | 53.70 грн |
| 1000+ | 49.52 грн |
| 10000+ | 44.15 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 658+ | 53.70 грн |
| 1000+ | 49.52 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 658+ | 53.70 грн |
| 1000+ | 49.52 грн |
| 10000+ | 44.15 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.66 грн |
| 10+ | 56.96 грн |
| 50+ | 42.30 грн |
| 100+ | 35.24 грн |
| 500+ | 27.43 грн |
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7469TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 16731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





