IRF7469TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 25.87 грн |
| 8000+ | 23.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7469TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF7469TRPBF за ціною від 22.04 грн до 103.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7469TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 13037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7469TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |