Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7469TRPBF
IRF7469TRPBF

IRF7469TRPBF Infineon Technologies

irf7469.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7469TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7469TRPBF за ціною від 22.56 грн до 76.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff18861c12 Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+30.06 грн
408+29.97 грн
432+28.27 грн
439+26.85 грн
500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
374+32.70 грн
406+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.19 грн
22+32.20 грн
25+32.11 грн
100+29.21 грн
250+26.64 грн
500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.73 грн
500+31.81 грн
1000+26.51 грн
5000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+46.43 грн
1000+42.82 грн
10000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+46.43 грн
1000+42.82 грн
10000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+46.43 грн
1000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004664152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.45 грн
18+48.27 грн
100+39.73 грн
500+31.81 грн
1000+26.51 грн
5000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff18861c12 Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.50 грн
10+48.95 грн
100+38.20 грн
500+33.77 грн
1000+30.66 грн
2000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff18861c12 MOSFETs MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.42 грн
10+48.96 грн
100+35.57 грн
500+33.74 грн
1000+31.00 грн
4000+26.05 грн
8000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7469.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A4DAD4E937F1A303005056AB0C4F&compId=irf7469pbf.pdf?ci_sign=4f9a0459f93e314d75063acd13e89c05d9ddee28 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A4DAD4E937F1A303005056AB0C4F&compId=irf7469pbf.pdf?ci_sign=4f9a0459f93e314d75063acd13e89c05d9ddee28 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.