IRF7470PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470PBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 741+ | 32.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7470PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IRF7470PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7470PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IRF7470PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7470PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7470PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 29nC |
товару немає в наявності |