IRF7470TRPBF Infineon Technologies


irf7470.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7470TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7470TRPBF за ціною від 68.11 грн до 152.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Infineon Technologies irf7470.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.41 грн
189+74.79 грн
208+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7470_DataSheet_v01_01_EN-3363099.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 10564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Infineon Technologies irf7470.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS17403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470TRPBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 description IRF7470TRPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description irf7470.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.41 грн
189+74.79 грн
208+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description Infineon_IRF7470_DataSheet_v01_01_EN-3363099.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 10564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description irf7470.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description IRSDS17403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7470TRPBF - IRF7470 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18
IRF7470TRPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.