Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7473TRPBF
IRF7473TRPBF

IRF7473TRPBF Infineon Technologies

irf7473.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7473TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7473TRPBF за ціною від 55.41 грн до 71.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Infineon Technologies irf7473.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Infineon Technologies irf7473.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Infineon Technologies irf7473.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
514+68.79 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Infineon Technologies irf7473.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
514+68.79 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7473_DataSheet_v01_01_EN-3363083.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF INFINEON 107895.pdf description Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF INFINEON 107895.pdf description Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description irf7473.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description irf7473.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description irf7473.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
514+68.79 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description irf7473.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.86 грн
514+68.79 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description Infineon_IRF7473_DataSheet_v01_01_EN-3363083.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description 107895.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7473TRPBF description 107895.pdf
IRF7473TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.