IRF7473TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 34.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7473TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF7473TRPBF за ціною від 35.35 грн до 164.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7473TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7473TRPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7473TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |