Продукція > IR > IRF7476PBF

IRF7476PBF


Виробник: IR

на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7476PBF IR

N-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 95 шт.

Інші пропозиції IRF7476PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7476PBF International Rectifier/Infineon irf7476pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBF IRF7476PBF Infineon Technologies international_rectifier_irf7476pbf-1169056.pdf MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBF irf7476pbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2550 @ 6, Qg, нКл = 40 @ 4,5 В, Rds = 8 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7476PBF international_rectifier_irf7476pbf-1169056.pdf
IRF7476PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.