IRF7476TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 828+ | 42.71 грн |
| 1000+ | 39.39 грн |
| 10000+ | 35.12 грн |
| 100000+ | 28.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7476TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7476TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, Dauer-Drainstrom Id: 15, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF7476TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7476TRPBF | Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7476TRPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)