IRF7478TRPBF International Rectifier


irf7478pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff783e1c2a
Виробник: International Rectifier
SO8 Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7478TRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.

Інші пропозиції IRF7478TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF Infineon Technologies irf7478pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff783e1c2a description Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7478_DataSheet_v01_01_EN-3166118.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF description irf7478pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff783e1c2a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF description Infineon_IRF7478_DataSheet_v01_01_EN-3166118.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.