Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7480MTRPBF

IRF7480MTRPBF

irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
Код товару: 200134
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7480MTRPBF за ціною від 63.63 грн до 255.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+66.21 грн
9600+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.69 грн
500+89.14 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 14175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
10+142.70 грн
100+98.82 грн
500+75.16 грн
1000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7480M_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.47 грн
10+150.43 грн
100+91.42 грн
500+74.55 грн
1000+71.73 грн
2500+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.99 грн
10+166.55 грн
100+115.69 грн
500+89.14 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
IRF7480MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+66.21 грн
9600+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7480MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.69 грн
500+89.14 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
IRF7480MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 14175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.85 грн
10+142.70 грн
100+98.82 грн
500+75.16 грн
1000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF Infineon_IRF7480M_DS_v01_02_EN.pdf
IRF7480MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.47 грн
10+150.43 грн
100+91.42 грн
500+74.55 грн
1000+71.73 грн
2500+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7480MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.99 грн
10+166.55 грн
100+115.69 грн
500+89.14 грн
1000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.