Інші пропозиції IRF7480MTRPBF за ціною від 62.64 грн до 251.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 59940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 33098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 13969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V |
на замовлення 14175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 8709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF7480MTRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 26722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF7480MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 330A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |