IRF7483MTRPBF International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 99.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7483MTRPBF International Rectifier
Description: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric MF, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції IRF7483MTRPBF за ціною від 99.77 грн до 199.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7483MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MF Packaging: Bulk |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF7483MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|