IRF7492PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 312 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 27.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7492PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7492PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7492PBF Код товару: 26534 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 3,7 A Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7492PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||
IRF7492PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRF7492PBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC |
товар відсутній |