Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER/INFINEON > IRF7492PBF

IRF7492PBF International Rectifier/Infineon

IRF7492PbF.pdf Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+62.40 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7492PBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7492PBF за ціною від 46.50 грн до 46.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7492PBF IRF7492PBF
Код товару: 26534
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf7492.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBF IRF7492PBF Виробник : Infineon Technologies irf7492pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBF IRF7492PBF Виробник : Infineon Technologies IRF7492PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7492PBF IRF7492PBF Виробник : Infineon Technologies irf7492pbf-1169389.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.