Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7493PBF

IRF7493PBF

Код товару: 162716

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7493PBF

MOSFET, N, SO-8
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:80V
Cont Current Id:1.2A
On State Resistance:0.73ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:SOIC
Termination Type:SMD
Fall Time Tf:15ns
Max Voltage Vds:200V
Max Voltage Vgs:30V
No. of Transistors:1
Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power Dissipation Pd:2.5W
Pulse Current Idm:10A
Rise Time:9.5ns
Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7493PBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRF7493PBF	International Rectifier	MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7493PBF	International Rectifier/Infineon	N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7493PBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRF7493PBF	Infineon Technologies	MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IRF7493PBF

Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7493PBF

Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7493PBF

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7493PBF

Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN-3363100.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.