Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7493TRPBF
IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF Infineon Technologies

irf7493.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7493TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції IRF7493TRPBF за ціною від 51.50 грн до 169.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+54.40 грн
12000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+54.58 грн
12000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF International Rectifier irf7493pbf.pdf description MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
10+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 description Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.93 грн
50+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.22 грн
10+113.76 грн
50+102.28 грн
100+78.43 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.22 грн
125+113.76 грн
139+102.28 грн
174+78.43 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+54.40 грн
12000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+54.58 грн
12000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.98 грн
10+95.93 грн
50+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.22 грн
10+113.76 грн
50+102.28 грн
100+78.43 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.22 грн
125+113.76 грн
139+102.28 грн
174+78.43 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.