IRF7493TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 25.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7493TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7493TRPBF за ціною від 30.12 грн до 69.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 6615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg |
на замовлення 5711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7493TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7493TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7493TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7493TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Drain current: 9.2A Drain-source voltage: 80V |
товару немає в наявності |