Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7493TRPBF
IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF Infineon Technologies

irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7493TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRF7493TRPBF за ціною від 31.37 грн до 132.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
10+37.36 грн
100+32.00 грн
500+31.79 грн
1000+31.51 грн
2000+31.44 грн
4000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF International Rectifier irf7493pbf.pdf description MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 description Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.92 грн
10+81.21 грн
100+54.75 грн
500+40.74 грн
1000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.81 грн
10+37.36 грн
100+32.00 грн
500+31.79 грн
1000+31.51 грн
2000+31.44 грн
4000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40
IRF7493TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
10+81.21 грн
100+54.75 грн
500+40.74 грн
1000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.