IRF7495TRPBF Infineon Technologies


irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7495TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції IRF7495TRPBF за ціною від 42.32 грн до 181.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+106.24 грн
167+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+129.87 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies infineon_irf7495_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.90 грн
10+82.22 грн
100+63.70 грн
500+50.78 грн
1000+49.07 грн
2000+47.29 грн
4000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.69 грн
10+105.97 грн
100+89.61 грн
500+70.21 грн
1000+60.01 грн
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+181.69 грн
138+105.97 грн
164+89.61 грн
500+70.21 грн
1000+60.01 грн
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+106.24 грн
167+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+129.87 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF infineon_irf7495_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.90 грн
10+82.22 грн
100+63.70 грн
500+50.78 грн
1000+49.07 грн
2000+47.29 грн
4000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.69 грн
10+105.97 грн
100+89.61 грн
500+70.21 грн
1000+60.01 грн
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+181.69 грн
138+105.97 грн
164+89.61 грн
500+70.21 грн
1000+60.01 грн
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.