IRF7495TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 44.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7495TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7495TRPBF за ціною від 32.32 грн до 133.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7495TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg |
на замовлення 10973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V |
на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF7495TRPBF | Виробник : International Rectifier |
8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF7495TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530 @ 25, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Ugs(th) = ±20V, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IRF7495TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |