Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7495TRPBF
IRF7495TRPBF

IRF7495TRPBF Infineon Technologies

irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7495TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції IRF7495TRPBF за ціною від 47.74 грн до 176.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.03 грн
167+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.95 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.16 грн
50+71.23 грн
100+59.92 грн
500+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.20 грн
10+102.77 грн
100+86.90 грн
500+68.09 грн
1000+58.20 грн
2000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.20 грн
138+102.77 грн
164+86.90 грн
500+68.09 грн
1000+58.20 грн
2000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies infineon_irf7495_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies irf7495pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+103.03 грн
167+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.95 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.00 грн
10+94.16 грн
50+71.23 грн
100+59.92 грн
500+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.20 грн
10+102.77 грн
100+86.90 грн
500+68.09 грн
1000+58.20 грн
2000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+176.20 грн
138+102.77 грн
164+86.90 грн
500+68.09 грн
1000+58.20 грн
2000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF infineon_irf7495_datasheet_en.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF 107897.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.