Продукція > IR > IRF7501TR

IRF7501TR


IRF7501.pdf Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
на замовлення 4930 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.21 грн
12+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7501TR IR

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7501TR за ціною від 32.31 грн до 37.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7501TR Виробник : International Rectifier/Infineon IRF7501.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; MICRO-8
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+37.27 грн
18+ 34.79 грн
100+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF7501TR IRF7501TR
Код товару: 109125
IRF7501.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF7501TR IRF7501TR Виробник : Infineon Technologies irf7501.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7501TR IRF7501TR Виробник : Infineon Technologies IRF7501.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній