Продукція > INFINEON > IRF7501TRPBF
IRF7501TRPBF

IRF7501TRPBF INFINEON

INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.44 грн
250+ 34.3 грн
1000+ 26.57 грн
2000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7501TRPBF INFINEON

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7501TRPBF за ціною від 21.38 грн до 69.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7501-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+51.58 грн
8000+ 47.13 грн
12000+ 44.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7501-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+51.85 грн
8000+ 47.38 грн
12000+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.29 грн
50+ 43.44 грн
250+ 34.3 грн
1000+ 26.57 грн
2000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF7501_DataSheet_v01_01_EN-1228344.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.32 грн
10+ 60.42 грн
100+ 40.32 грн
500+ 31.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7501-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7501pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7501pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535603017a1c50 Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7501pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535603017a1c50 Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7501pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.4A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній