IRF7501TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 62.26 грн |
| 8000+ | 56.89 грн |
| 12000+ | 53.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7501TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Micro8™, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRF7501TRPBF за ціною від 57.26 грн до 66.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7501TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF7501TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8 |
на замовлення 21116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IRF7501TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRF7501TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7501TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 66.70 грн |
| 8000+ | 60.94 грн |
| 12000+ | 57.26 грн |
| IRF7501TRPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7501TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7501TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)