
IRF7501TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 47.87 грн |
250+ | 37.80 грн |
1000+ | 29.27 грн |
2000+ | 23.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7501TRPBF INFINEON
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7501TRPBF за ціною від 23.56 грн до 76.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 21116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRF7501TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF7501TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |