IRF7503TR International Rectifier


IRF7503.pdf Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7503TR International Rectifier

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7503TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7503TR Виробник : IR - ASA only Supplier irf7503.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7503TR IRF7503TR Виробник : Infineon Technologies IRF7503.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товар відсутній