IRF7503TR International Rectifier

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 16.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7503TR International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7503TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IRF7503TR | Виробник : IR - ASA only Supplier |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IRF7503TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |