IRF7503TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 11.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7503TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7503TRPBF за ціною від 15.67 грн до 77.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 34188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7503TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8 |
на замовлення 31029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7503TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7503TRPBF Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRF7503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
товару немає в наявності |