Технічний опис IRF7503TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7503TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IRF7503TRPBF | INFINEON |
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на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7503TRPBF | INFINEON |
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на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7503TRPBF |
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Виробник: INFINEON
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7503TRPBF |
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Виробник: INFINEON
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)