Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF

infineon-irf7509-datasheet-en.pdf
Код товару: 32320
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: Micro-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11; 0,2 Ом
Примітка: N- та P-канал
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7509TRPBF за ціною від 22.91 грн до 22.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF International Rectifier/Infineon irf7509pbf.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс,
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7509TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7509TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF irf7509pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс,
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+22.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.