IRF7509TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 20.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7509TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7509TRPBF за ціною від 19.50 грн до 84.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7509TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7509TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7509TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8 |
на замовлення 6954 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7509TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
на замовлення 5063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7509TRPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7509TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс; |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRF7509TRPBF Код товару: 32320
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
 |
IRF7509TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7509TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7509TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7509TRPBF Multi channel transistors |
товару немає в наявності |