Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF

infineon-irf7509-datasheet-en.pdf
Код товару: 32320
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: Micro-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7509TRPBF за ціною від 19.68 грн до 68.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.28 грн
10+52.94 грн
100+33.17 грн
500+25.80 грн
1000+23.37 грн
2000+21.42 грн
4000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.88 грн
16+53.95 грн
100+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7509pbf.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс,
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF Виробник : International Rectifier irf7509pbf.pdf MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.