IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF Infineon Technologies


irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+19.96 грн
8000+ 18.21 грн
12000+ 16.86 грн
28000+ 15.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7509TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7509TRPBF за ціною від 14.35 грн до 624 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.78 грн
21+ 27.3 грн
25+ 27.19 грн
100+ 22.17 грн
250+ 20.42 грн
500+ 14.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
391+29.29 грн
462+ 24.76 грн
465+ 24.63 грн
635+ 17.38 грн
Мінімальне замовлення: 391
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.93 грн
500+ 25.49 грн
1000+ 16.87 грн
5000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 110872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.8 грн
10+ 43.84 грн
100+ 30.36 грн
500+ 23.8 грн
1000+ 20.25 грн
2000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 40510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.94 грн
10+ 45.74 грн
100+ 28.03 грн
500+ 23.15 грн
1000+ 20.84 грн
2000+ 18.6 грн
4000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.23 грн
15+ 52.76 грн
100+ 32.93 грн
500+ 25.49 грн
1000+ 16.87 грн
5000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7509TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс;
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 20.79 грн
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF
Код товару: 32320
Виробник : IR irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,11; 0,2 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7509pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7509pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11/0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7509pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11/0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній