IRF7526D1TRPBF Infineon / IR


irf7526d1pbf-937412.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC
на замовлення 11498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7526D1TRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Micro8™, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IRF7526D1TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7526D1TRPBF IR IRF7526D1PBF.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7526D1TRPBF IRF7526D1PBF.pdf
Виробник: IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.