IRF7530TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 254+ | 48.67 грн |
| 352+ | 35.09 грн |
| 371+ | 33.34 грн |
| 500+ | 31.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7530TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7530TRPBF за ціною від 13.80 грн до 103.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7530TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF Код товару: 31263
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 5,4 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |