Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7530TRPBF
IRF7530TRPBF

IRF7530TRPBF

irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
Код товару: 31263
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 5,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1310/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7530TRPBF за ціною від 24.17 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.74 грн
352+40.20 грн
371+38.19 грн
500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.51 грн
206+68.75 грн
286+49.59 грн
289+47.33 грн
500+36.62 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.16 грн
11+69.51 грн
25+68.75 грн
100+47.82 грн
250+43.82 грн
500+35.16 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.64 грн
10+59.32 грн
100+39.35 грн
500+28.86 грн
1000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF International Rectifier irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.74 грн
352+40.20 грн
371+38.19 грн
500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
204+69.51 грн
206+68.75 грн
286+49.59 грн
289+47.33 грн
500+36.62 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.16 грн
11+69.51 грн
25+68.75 грн
100+47.82 грн
250+43.82 грн
500+35.16 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.64 грн
10+59.32 грн
100+39.35 грн
500+28.86 грн
1000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.