IRF7580MTRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 87.09 грн |
| 165+ | 85.77 грн |
| 168+ | 84.44 грн |
| 171+ | 80.15 грн |
| 173+ | 73.03 грн |
| 250+ | 68.98 грн |
| 500+ | 67.84 грн |
| 1000+ | 66.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7580MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7580MTRPBF за ціною від 66.71 грн до 103.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7580MTRPBF | International Rectifier |
 Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
на замовлення 7423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | Infineon Technologies |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 96 Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 96 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 92.97 грн |
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 92.97 грн |
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.12 грн |
| 9+ | 87.09 грн |
| 10+ | 85.77 грн |
| 25+ | 81.42 грн |
| 50+ | 74.21 грн |
| 100+ | 70.11 грн |
| 250+ | 68.98 грн |
| 500+ | 67.84 грн |
| 1000+ | 66.71 грн |
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7580MTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)