IRF7601PBF

IRF7601PBF Infineon / IR


irf7601pbf-1228231.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC
на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7601PBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Packaging: Tube, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: Micro8™, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V.

Інші пропозиції IRF7601PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7601PBF IRF7601PBF Виробник : Infineon Technologies irf7601pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356038df01c74 Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.