Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7606TRPBF
IRF7606TRPBF

IRF7606TRPBF Infineon Technologies

irf7606.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
231+63.53 грн
326+44.92 грн
371+39.46 грн
500+36.46 грн
1000+31.84 грн
2000+28.98 грн
4000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 231 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7606TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7606TRPBF за ціною від 20.12 грн до 89.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7606_DataSheet_v01_01_EN-3363084.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.21 грн
10+51.91 грн
100+33.26 грн
500+26.36 грн
1000+22.87 грн
2000+21.90 грн
4000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF INFINEON 196760.pdf Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF INFINEON 196760.pdf Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF Infineon_IRF7606_DataSheet_v01_01_EN-3363084.pdf
IRF7606TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.21 грн
10+51.91 грн
100+33.26 грн
500+26.36 грн
1000+22.87 грн
2000+21.90 грн
4000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF 196760.pdf
IRF7606TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF 196760.pdf
IRF7606TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.