Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7606TRPBF
IRF7606TRPBF

IRF7606TRPBF Infineon Technologies

irf7606.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7606TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7606TRPBF за ціною від 20.64 грн до 91.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7606pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535603bc101c80 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : INFINEON 196760.pdf Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.03 грн
326+37.50 грн
371+32.94 грн
500+30.43 грн
1000+26.58 грн
2000+24.19 грн
4000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : INFINEON 196760.pdf Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.09 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.86 грн
16+54.00 грн
100+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7606pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535603bc101c80 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.45 грн
10+53.39 грн
100+36.96 грн
500+26.92 грн
1000+24.15 грн
2000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7606_DataSheet_v01_01_EN-3363084.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+53.25 грн
100+34.12 грн
500+27.04 грн
1000+23.46 грн
2000+22.47 грн
4000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7C9D225C7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7606pbf.pdf?ci_sign=1c367cbf393a3a2237dfc8f4b42c4929181d01c6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8
Mounting: SMD
Case: Micro8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7C9D225C7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7606pbf.pdf?ci_sign=1c367cbf393a3a2237dfc8f4b42c4929181d01c6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8
Mounting: SMD
Case: Micro8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.