Продукція > INFINEON > IRF7607TRPBF

IRF7607TRPBF INFINEON

INFN-S-A0004145912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7607TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF7607TRPBF за ціною від 29.23 грн до 64.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRF7607TRPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 331 шт

В кошику од. на суму грн.

IRF7607TRPBF

Infineon Technologies

irf7607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535603c4811c82

IRF7607TRPBF

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.66 грн
16+	49.99 грн
25+	49.49 грн
100+	37.02 грн
250+	31.11 грн
500+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

IRF7607TRPBF

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 331 шт

В кошику од. на суму грн.

IRF7607TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
IRF7607TRPBF

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	64.66 грн
16+	49.99 грн
25+	49.49 грн
100+	37.02 грн
250+	31.11 грн
500+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.