Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7739L1TRPBF
IRF7739L1TRPBF

IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies

irf7739l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560423d91c9a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.63 грн
10+242.34 грн
100+180.53 грн
500+148.86 грн
1000+147.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7739L1TRPBF за ціною від 164.40 грн до 391.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7739L1_DataSheet_v01_01_EN-3362970.pdf MOSFETs 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.30 грн
10+270.08 грн
100+174.67 грн
500+164.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7739l1-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7739l1-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3037irf7739l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3037irf7739l1pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF7739L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7739l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560423d91c9a Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF7739L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.