IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.94 грн |
| 10+ | 277.96 грн |
| 100+ | 184.15 грн |
| 500+ | 180.32 грн |
| 1000+ | 178.01 грн |
| 2000+ | 177.25 грн |
| 4000+ | 152.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7739L1TRPBF за ціною від 176.68 грн до 415.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7739L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7739L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 125W |
товару немає в наявності |