IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 128+ | 95.30 грн |
| 134+ | 91.03 грн |
| 250+ | 87.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: DirectFET L6, Anzahl der Pins: 13Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF7748L1TRPBF за ціною від 127.69 грн до 357.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF Код товару: 130779
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 28A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 3.3W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 28A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 3.3W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |