IRF7748L1TRPBF
Код товару: 130779
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7748L1TRPBF за ціною від 100.85 грн до 412.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7748L1TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 109.99 грн |
| 134+ | 105.07 грн |
| 250+ | 100.85 грн |
| IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 412.10 грн |
| 41+ | 348.88 грн |
| 53+ | 265.76 грн |
| 200+ | 240.46 грн |
| 500+ | 195.47 грн |
| 1000+ | 183.64 грн |
| 2000+ | 176.62 грн |
| 4000+ | 165.58 грн |
| IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7748L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




