IRF7748L1TRPBF
Код товару: 130779
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7748L1TRPBF за ціною від 99.72 грн до 407.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 28A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 3.3W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |




