Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7749L1TRPBF
IRF7749L1TRPBF

IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies

irf7749l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356043d6b1ca0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 345A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7749L1TRPBF за ціною від 150.13 грн до 411.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.38 грн
500+200.82 грн
1000+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356043d6b1ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 10231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
10+262.89 грн
100+188.77 грн
500+161.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+409.50 грн
10+297.67 грн
100+220.38 грн
500+200.82 грн
1000+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7749L1_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
на замовлення 40120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.15 грн
10+274.78 грн
100+176.21 грн
500+161.41 грн
1000+153.65 грн
4000+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7749L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+220.38 грн
500+200.82 грн
1000+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF irf7749l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356043d6b1ca0
IRF7749L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 10231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+409.15 грн
10+262.89 грн
100+188.77 грн
500+161.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7749L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+409.50 грн
10+297.67 грн
100+220.38 грн
500+200.82 грн
1000+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF Infineon_IRF7749L1_DS_v01_02_EN.pdf
IRF7749L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
на замовлення 40120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+411.15 грн
10+274.78 грн
100+176.21 грн
500+161.41 грн
1000+153.65 грн
4000+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.