IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 164.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 345A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7749L1TRPBF за ціною від 127.41 грн до 396.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V |
на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 15532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 42690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet |
на замовлення 14140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7749L1TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF7749L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |




