IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 291.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7759L2TRPBF за ціною від 213.34 грн до 571.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7759L2TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 125W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7759L2TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 26A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 125W Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7759L2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7759L2TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 26A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 125W Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |