IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies


infineonirf7759l2datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+238.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF7759L2TRPBF за ціною від 239.93 грн до 355.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies infineonirf7759l2datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+239.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies infineonirf7759l2datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+355.91 грн
104+338.35 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies irf7759l2pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560478171cb0 MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF infineonirf7759l2datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+239.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF infineonirf7759l2datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+355.91 грн
104+338.35 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF irf7759l2pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560478171cb0
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.