Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7769L1TRPBF
IRF7769L1TRPBF

IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+127.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7769L1TRPBF за ціною від 132.40 грн до 408.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+183.72 грн
71+183.47 грн
100+176.58 грн
250+163.27 грн
500+156.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+197.12 грн
10+196.85 грн
25+196.57 грн
100+189.20 грн
250+174.94 грн
500+167.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+208.13 грн
68+191.00 грн
100+183.30 грн
200+174.27 грн
500+155.80 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+208.78 грн
500+198.07 грн
1000+186.29 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.49 грн
250+192.08 грн
1000+161.26 грн
2000+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+234.19 грн
100+209.40 грн
500+192.64 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+252.10 грн
50+214.49 грн
250+192.08 грн
1000+161.26 грн
2000+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 10541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.88 грн
10+219.01 грн
100+156.49 грн
500+140.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7769L1-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.74 грн
10+237.45 грн
100+147.49 грн
500+141.31 грн
1000+133.77 грн
4000+132.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+408.43 грн
33+390.88 грн
50+376.00 грн
100+350.26 грн
250+314.48 грн
500+293.69 грн
1000+286.50 грн
2500+280.18 грн
5000+274.60 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 IRF7769L1TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+208.78 грн
500+198.07 грн
1000+186.29 грн
10000+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF
Код товару: 107945
Додати до обраних Обраний товар

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF7769L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.