Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7769L1TRPBF
IRF7769L1TRPBF

IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+143.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7769L1TRPBF за ціною від 123.06 грн до 333.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+177.87 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+194.75 грн
64+191.70 грн
100+190.69 грн
500+182.90 грн
1000+156.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+220.69 грн
10+193.56 грн
25+188.99 грн
100+157.69 грн
500+129.48 грн
1000+123.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+226.19 грн
500+216.05 грн
1000+203.87 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+234.64 грн
250+190.18 грн
1000+155.96 грн
2000+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+237.80 грн
10+206.30 грн
25+201.03 грн
100+166.09 грн
250+152.78 грн
500+144.15 грн
1000+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+239.00 грн
59+209.63 грн
60+204.67 грн
100+170.78 грн
500+140.23 грн
1000+133.28 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+275.14 грн
50+270.37 грн
500+255.58 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.42 грн
10+227.97 грн
100+175.92 грн
500+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+321.91 грн
50+234.64 грн
250+190.18 грн
1000+155.96 грн
2000+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7769L1_DS_v02_00_EN-1732060.pdf MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
на замовлення 39797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.93 грн
10+255.73 грн
25+208.43 грн
100+168.80 грн
500+148.98 грн
4000+143.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF
Код товару: 107945
Додати до обраних Обраний товар

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 IRF7769L1TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Виробник : Infineon Technologies 13447743853051irf7769l1pbf.pdffileid5546d462533600a4015356079bd91cb4.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.