Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7769L1TRPBF
IRF7769L1TRPBF

IRF7769L1TRPBF

irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4
Код товару: 107945
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7769L1TRPBF за ціною від 130.72 грн до 449.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+130.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.25 грн
71+201.97 грн
100+194.39 грн
250+179.74 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.53 грн
10+202.25 грн
25+201.97 грн
100+194.39 грн
250+179.74 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.12 грн
68+210.27 грн
100+201.78 грн
200+191.85 грн
500+171.52 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+257.81 грн
100+230.52 грн
500+212.07 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7769L1-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
на замовлення 15791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.47 грн
10+215.61 грн
100+156.47 грн
500+145.19 грн
1000+137.44 грн
4000+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 10541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.27 грн
10+225.02 грн
100+160.79 грн
500+144.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+422.66 грн
50+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+449.62 грн
33+430.30 грн
50+413.91 грн
100+385.58 грн
250+346.20 грн
500+323.30 грн
1000+315.39 грн
2500+308.44 грн
5000+302.29 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies infineonirf7769l1dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF International Rectifier HiRel Products irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4 IRF7769L1TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+130.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
70+202.25 грн
71+201.97 грн
100+194.39 грн
250+179.74 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+202.53 грн
10+202.25 грн
25+201.97 грн
100+194.39 грн
250+179.74 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+229.12 грн
68+210.27 грн
100+201.78 грн
200+191.85 грн
500+171.52 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+257.81 грн
100+230.52 грн
500+212.07 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF Infineon-IRF7769L1-DS-v02_00-EN.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
на замовлення 15791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+312.47 грн
10+215.61 грн
100+156.47 грн
500+145.19 грн
1000+137.44 грн
4000+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 10541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+351.27 грн
10+225.02 грн
100+160.79 грн
500+144.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+422.66 грн
50+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+449.62 грн
33+430.30 грн
50+413.91 грн
100+385.58 грн
250+346.20 грн
500+323.30 грн
1000+315.39 грн
2500+308.44 грн
5000+302.29 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF infineonirf7769l1dsv0200en.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF irf7769l1pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356079bd91cb4
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF7769L1TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
10000+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.