Інші пропозиції IRF7769L1TRPBF за ціною від 128.40 грн до 415.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC |
на замовлення 15791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
на замовлення 10541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
IRF7769L1TRPBF |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товару немає в наявності |