Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7780MTRPBF
IRF7780MTRPBF

IRF7780MTRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRF7780M_DataSheet_v01_01_EN-3362924.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.53 грн
10+174.67 грн
25+143.53 грн
100+122.62 грн
250+115.66 грн
500+108.69 грн
1000+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7780MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric ME, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA.

Інші пропозиції IRF7780MTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7780MTRPBF IRF7780MTRPBF Виробник : Infineon / IR irf7780mpbf-1227983.pdf MOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBF Виробник : Infineon irf7780mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535607b41f1cba
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBF IRF7780MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7780mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535607b41f1cba Description: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.