IRF7805PBF (IR) - Транзистори - Польові N-канальні

IRF7805PBF
Код товару: 79757
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /22
Примітка: -
Монтаж: SMD

В наявності/на замовлення
Технічний опис IRF7805PBF
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:13A
- On State Resistance:0.011ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:100A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF7805PBF
- Transistor Case Style:SOIC
Ціна IRF7805PBF від 0 грн до 0 грн
IRF7805PBF Виробник: International Rectifier Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
IRF7805PBF Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Packaging: Tube Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Part Status: Discontinued at Digi-Key ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
IRF7805PBF Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube ![]() ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
IRF7805PBF Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
IRF7805PBF Виробник: Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC ![]() |
на замовлення 2978 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|