IRF7805TRPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805TRPBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 133276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 585+ | 41.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7805TRPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V.
Інші пропозиції IRF7805TRPBF за ціною від 41.11 грн до 43.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 132934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF7805TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain current: 13A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF7805TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRF7805TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain current: 13A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |