IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 15370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 265+ | 43.95 грн |
| 295+ | 39.58 грн |
| 306+ | 38.13 грн |
| 500+ | 35.09 грн |
| 1000+ | 31.01 грн |
| 4000+ | 27.11 грн |
| 8000+ | 27.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm.
Інші пропозиції IRF7805ZTRPBF за ціною від 22.24 грн до 81.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7805ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 16A 6.8mOhm 18nC |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7805Z-TR-PBF | Виробник : IR | 7 |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7805ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7805ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |