IRF7807TRPBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 104.01 грн |
| 10+ | 62.40 грн |
| 100+ | 31.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7807TRPBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V.
Інші пропозиції IRF7807TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7807TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
|
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
 |
IRF7807TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7807TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF7807TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7807TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF7807TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7807TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 12nC |
товару немає в наявності |