IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 8.99 грн |
66+ | 8.84 грн |
67+ | 8.7 грн |
100+ | 8.26 грн |
250+ | 7.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції IRF7807VD2TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : IOR |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : IR | SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
||
IRF7807VD2TRPBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC |
товар відсутній |