Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7807VD2TRPBF
IRF7807VD2TRPBF

IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies

irf7807vd2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+17.90 грн
35+17.72 грн
100+16.91 грн
250+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції IRF7807VD2TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vd2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF Виробник : IOR IRF7807VD2PbF.pdf
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF Виробник : IR IRF7807VD2PbF.pdf SOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vd2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7807VD2PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7807VD2PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Виробник : Infineon / IR international rectifier_irf7807vd2pbf-1169061.pdf MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.