Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7807VTRPBF
IRF7807VTRPBF

IRF7807VTRPBF Infineon Technologies

irf7807v.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1133+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 1133
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7807VTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V.

Інші пропозиції IRF7807VTRPBF за ціною від 28.47 грн до 28.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0005253078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7807VTRPBF - IRF7807 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
892+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 892
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Виробник : Infineon / IR irf7807vpbf-1732678.pdf MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807v.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7807vpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356084a061ce2 IRF7807VTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356084a061ce2 Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356084a061ce2 Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.