IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.05 грн |
| 10+ | 44.49 грн |
| 100+ | 27.7 грн |
| 500+ | 23.44 грн |
| 1000+ | 19.91 грн |
| 2000+ | 18.58 грн |
| 4000+ | 18.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7807ZTRPBF за ціною від 18.2 грн до 56.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7807ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7807ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF7807ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF7807ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF7807ZTRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF7807ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF7807ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF7807ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF7807ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF7807ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD |
товар відсутній |