IRF7811AVPBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 19.91 грн |
| 34+ | 18.58 грн |
| 100+ | 17.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7811AVPBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRF7811AVPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7811AVPBF Код товару: 71910 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|
 |
IRF7811AVPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
IRF7811AVPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC |
товар відсутній |