Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7811AVPBF
IRF7811AVPBF

IRF7811AVPBF

irf7811avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560898001cf6
Код товару: 71910
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7811AVPBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:10.8A
  • On State Resistance:0.011ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:10.8A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7811AVPBF
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7811AVPBF за ціною від 20.91 грн до 20.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7811AVPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7811avpbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBF Виробник : International Rectifier irf7811avpbf.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBF IRF7811AVPBF Виробник : Infineon Technologies irf7811avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560898001cf6 Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBF IRF7811AVPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF7811AV_DataSheet_v01_01_EN-1732616.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.