Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7815TRPBF
IRF7815TRPBF

IRF7815TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7815TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7815TRPBF за ціною від 31.46 грн до 163.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7815pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608b8891cfe Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : INFINEON 657104.pdf Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.86 грн
500+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7815-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg
на замовлення 23312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.52 грн
10+79.88 грн
100+49.58 грн
500+39.76 грн
1000+36.64 грн
2000+36.48 грн
4000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+117.13 грн
149+82.15 грн
200+74.83 грн
500+58.12 грн
1000+50.26 грн
2000+41.27 грн
4000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : INFINEON 657104.pdf Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.14 грн
10+90.57 грн
100+71.86 грн
500+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7815pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608b8891cfe Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.13 грн
10+100.28 грн
100+67.97 грн
500+50.80 грн
1000+46.62 грн
2000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ABCB43F139F1A303005056AB0C4F&compId=irf7815pbf.pdf?ci_sign=38f5aecb8cc9f50903c245ba07a8c38492c46f1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ABCB43F139F1A303005056AB0C4F&compId=irf7815pbf.pdf?ci_sign=38f5aecb8cc9f50903c245ba07a8c38492c46f1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.