Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7820TRPBF
IRF7820TRPBF

IRF7820TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7820TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

Інші пропозиції IRF7820TRPBF за ціною від 33.62 грн до 168.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.26 грн
500+41.54 грн
1000+35.24 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.18 грн
10+83.99 грн
100+56.72 грн
500+42.27 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.26 грн
10+91.27 грн
100+61.26 грн
500+41.54 грн
1000+35.24 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7820_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.57 грн
10+105.37 грн
100+61.81 грн
500+50.18 грн
1000+44.97 грн
2000+42.01 грн
4000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.26 грн
500+41.54 грн
1000+35.24 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.18 грн
10+83.99 грн
100+56.72 грн
500+42.27 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+142.26 грн
10+91.27 грн
100+61.26 грн
500+41.54 грн
1000+35.24 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF Infineon_IRF7820_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.57 грн
10+105.37 грн
100+61.81 грн
500+50.18 грн
1000+44.97 грн
2000+42.01 грн
4000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.