Технічний опис IRF7820TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції IRF7820TRPBF за ціною від 36.26 грн до 164.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 40216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 40918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 296+ | 47.91 грн |
| 298+ | 47.72 грн |
| 299+ | 47.44 грн |
| 1000+ | 45.65 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 49.05 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 49.57 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 222+ | 64.08 грн |
| 225+ | 63.28 грн |
| 252+ | 56.47 грн |
| 253+ | 54.03 грн |
| 500+ | 41.85 грн |
| 1000+ | 36.26 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.88 грн |
| 12+ | 64.08 грн |
| 25+ | 63.28 грн |
| 100+ | 54.46 грн |
| 250+ | 50.03 грн |
| 500+ | 40.18 грн |
| 1000+ | 36.26 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 123.17 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.65 грн |
| 10+ | 101.71 грн |
| 100+ | 69.19 грн |
| 500+ | 51.85 грн |
| 1000+ | 47.64 грн |
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7820TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)