IRF7820TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 37.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7820TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7820TRPBF за ціною від 31.28 грн до 145.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 |
на замовлення 5711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7820TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |