Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7820TRPBF
IRF7820TRPBF

IRF7820TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+57.67 грн
258+56.94 грн
260+56.52 грн
262+54.10 грн
500+49.72 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 254 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7820TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

Інші пропозиції IRF7820TRPBF за ціною від 46.65 грн до 182.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.01 грн
14+57.67 грн
25+56.94 грн
100+54.50 грн
250+50.09 грн
500+47.73 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 51875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
10000+73.62 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.60 грн
10+105.30 грн
50+79.80 грн
100+67.18 грн
500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+171.47 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon_irf7820_datasheet_en.pdf MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 6307 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+182.57 грн
10+87.39 грн
100+65.38 грн
500+53.64 грн
1000+50.71 грн
2000+48.53 грн
4000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 33240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 33240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.01 грн
14+57.67 грн
25+56.94 грн
100+54.50 грн
250+50.09 грн
500+47.73 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 51875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
355+103.17 грн
500+92.86 грн
1000+85.63 грн
10000+73.62 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.60 грн
10+105.30 грн
50+79.80 грн
100+67.18 грн
500+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+171.47 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon_irf7820_datasheet_en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 6307 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.57 грн
10+87.39 грн
100+65.38 грн
500+53.64 грн
1000+50.71 грн
2000+48.53 грн
4000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 33240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 33240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.