IRF7820TRPBF

IRF7820TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7820TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7820TRPBF за ціною від 28.98 грн до 127.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00 Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+53.82 грн
228+53.66 грн
261+46.81 грн
263+44.88 грн
500+38.21 грн
1000+32.38 грн
3000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.62 грн
13+49.98 грн
25+49.83 грн
100+41.92 грн
250+38.59 грн
500+34.06 грн
1000+30.07 грн
3000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.61 грн
500+47.59 грн
1000+39.71 грн
5000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00 Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.11 грн
10+78.60 грн
100+56.38 грн
500+43.02 грн
1000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7820_DataSheet_v01_01_EN-3363024.pdf MOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+92.42 грн
25+78.88 грн
100+58.56 грн
500+47.55 грн
1000+42.64 грн
2000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.72 грн
10+90.16 грн
100+64.61 грн
500+47.59 грн
1000+39.71 грн
5000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.