IRF7821PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 98.08 грн |
| 10+ | 86.59 грн |
| 25+ | 78.09 грн |
| 100+ | 37.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7821PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7821PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7821PBF | International Rectifier |
 SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7821PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7821PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7821PBF |
|
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7821PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7821PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC
MOSFETs 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.