IRF7821TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 17241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 308+ | 42.28 грн |
| 359+ | 36.21 грн |
| 378+ | 34.39 грн |
| 500+ | 30.99 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
| 4000+ | 22.72 грн |
| 16000+ | 21.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7821TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7821TRPBF за ціною від 25.83 грн до 118.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC |
на замовлення 22348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7821TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |