Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7821TRPBF
IRF7821TRPBF

IRF7821TRPBF Infineon Technologies

irf7821pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7821TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF7821TRPBF за ціною від 22.52 грн до 102.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+64.17 грн
227+53.91 грн
283+43.21 грн
286+41.25 грн
500+36.62 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7821_DataSheet_v01_01_EN-3363012.pdf MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC
на замовлення 22348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.00 грн
10+66.67 грн
100+45.10 грн
500+38.26 грн
1000+31.12 грн
2000+29.28 грн
4000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.30 грн
11+59.59 грн
25+50.06 грн
100+38.69 грн
250+35.47 грн
500+32.65 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+59.62 грн
100+37.85 грн
500+34.44 грн
1000+31.43 грн
2000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.63 грн
500+37.47 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.34 грн
13+66.19 грн
100+46.63 грн
500+37.47 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.