Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7821TRPBF
IRF7821TRPBF

IRF7821TRPBF Infineon Technologies

irf7821pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7821TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF7821TRPBF за ціною від 20.03 грн до 108.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+39.60 грн
359+33.92 грн
378+32.21 грн
500+29.03 грн
1000+25.21 грн
4000+21.28 грн
16000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.61 грн
212+57.43 грн
215+56.85 грн
248+47.42 грн
255+42.72 грн
500+34.71 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7821_DataSheet_v01_01_EN-3363012.pdf MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC
на замовлення 22348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.80 грн
10+66.51 грн
100+44.99 грн
500+38.16 грн
1000+31.04 грн
2000+29.21 грн
4000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+96.13 грн
10+64.64 грн
25+53.32 грн
50+50.90 грн
100+40.77 грн
250+38.09 грн
500+32.23 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+66.51 грн
100+44.37 грн
500+32.75 грн
1000+29.89 грн
2000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.52 грн
500+37.38 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.27 грн
13+66.03 грн
100+46.52 грн
500+37.38 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.