Технічний опис IRF7822PBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Part Status: Obsolete, Packaging: Tube, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Інші пропозиції IRF7822PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7822PBF | International Rectifier/Infineon |
 N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7822PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Obsolete Packaging: Tube Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7822PBF | Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7822PBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7822PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7822PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.