IRF7831TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 24.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7831TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7831TRPBF за ціною від 28.44 грн до 624 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC |
на замовлення 3467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V |
на замовлення 17954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7831TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF Код товару: 29859 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |