Технічний опис IRF7831TRPBF
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:21A
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- On Resistance, Rds(on):4.4mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- No. of Pins:8
Інші пропозиції IRF7831TRPBF за ціною від 112.05 грн до 112.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7831TRPBF | Infineon Technologies |
  MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF7831TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF7831TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7831TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 112.05 грн |