Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7831TRPBF
IRF7831TRPBF

IRF7831TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7831TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7831TRPBF за ціною від 32.73 грн до 120.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
323+37.73 грн
325+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
651+46.78 грн
1000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 651
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : INFINEON 196835.pdf Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : INFINEON 196835.pdf Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.79 грн
50+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7831_DataSheet_v01_01_EN-3363102.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+86.93 грн
100+51.89 грн
500+41.03 грн
1000+37.58 грн
2000+34.64 грн
4000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF
Код товару: 29859
Додати до обраних Обраний товар

irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7831pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7831pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.