Технічний опис IRF7831TRPBF
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:21A
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- On Resistance, Rds(on):4.4mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- No. of Pins:8
Інші пропозиції IRF7831TRPBF за ціною від 30.81 грн до 148.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7831TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7831TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7831TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |