Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF

IRF7842TRPBF

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
Код товару: 113287
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7842TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:40V
  • Continuous Drain Current, Id:18A
  • On Resistance, Rds(on):5.9mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 34.53 грн до 151.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.01 грн
151+94.46 грн
197+72.05 грн
250+68.78 грн
500+48.46 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.17 грн
189+75.03 грн
200+72.39 грн
500+60.96 грн
1000+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.23 грн
10+91.66 грн
50+66.14 грн
100+57.84 грн
250+49.11 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+99.01 грн
25+94.46 грн
100+69.47 грн
250+63.69 грн
500+46.52 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.11 грн
50+70.24 грн
100+59.00 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
144+99.01 грн
151+94.46 грн
197+72.05 грн
250+68.78 грн
500+48.46 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+100.17 грн
189+75.03 грн
200+72.39 грн
500+60.96 грн
1000+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.23 грн
10+91.66 грн
50+66.14 грн
100+57.84 грн
250+49.11 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.97 грн
10+99.01 грн
25+94.46 грн
100+69.47 грн
250+63.69 грн
500+46.52 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.44 грн
10+93.11 грн
50+70.24 грн
100+59.00 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.