Технічний опис IRF7842TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:18A
- On Resistance, Rds(on):5.9mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 32.60 грн до 148.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 3877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7842TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 47.75 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 48.25 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 144+ | 101.21 грн |
| 151+ | 96.56 грн |
| 197+ | 73.65 грн |
| 250+ | 70.31 грн |
| 500+ | 49.53 грн |
| 1000+ | 35.30 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 142+ | 102.40 грн |
| 189+ | 76.70 грн |
| 200+ | 74.00 грн |
| 500+ | 62.32 грн |
| 1000+ | 53.91 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.22 грн |
| 10+ | 81.51 грн |
| 100+ | 51.59 грн |
| 500+ | 40.04 грн |
| 1000+ | 36.58 грн |
| 2000+ | 34.52 грн |
| 4000+ | 32.60 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 134.17 грн |
| 10+ | 91.61 грн |
| 50+ | 66.11 грн |
| 100+ | 57.81 грн |
| 250+ | 49.09 грн |
| 500+ | 46.43 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 148.19 грн |
| 10+ | 101.21 грн |
| 25+ | 96.56 грн |
| 100+ | 71.02 грн |
| 250+ | 65.10 грн |
| 500+ | 47.55 грн |
| 1000+ | 35.30 грн |
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7842TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








