Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF

IRF7842TRPBF Infineon Technologies

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7842TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 29.58 грн до 133.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.68 грн
250+67.23 грн
1000+44.56 грн
2000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+84.81 грн
151+80.92 грн
197+61.71 грн
250+58.92 грн
500+41.51 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+85.80 грн
189+64.27 грн
200+62.01 грн
500+52.22 грн
1000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+77.96 грн
20+48.23 грн
53+45.57 грн
250+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 12408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.89 грн
10+75.62 грн
100+54.94 грн
500+39.19 грн
1000+35.86 грн
2000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF
Код товару: 113287
Додати до обраних Обраний товар

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.06 грн
10+97.15 грн
20+57.87 грн
53+54.69 грн
250+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.74 грн
50+80.68 грн
250+67.23 грн
1000+44.56 грн
2000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.48 грн
10+82.97 грн
100+52.52 грн
500+40.75 грн
1000+37.23 грн
2000+35.14 грн
4000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.05 грн
10+90.87 грн
25+86.70 грн
100+63.76 грн
250+58.45 грн
500+42.69 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.