Технічний опис IRF7842TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:18A
- On Resistance, Rds(on):5.9mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 28.49 грн до 142.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7842TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
на замовлення 29809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7842TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |