Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF

IRF7842TRPBF Infineon Technologies

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.66 грн
8000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7842TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 31.08 грн до 143.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.78 грн
250+70.65 грн
1000+46.83 грн
2000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+89.12 грн
151+85.03 грн
197+64.85 грн
250+61.91 грн
500+43.62 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+90.17 грн
189+67.54 грн
200+65.16 грн
500+54.88 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.56 грн
10+69.70 грн
25+57.40 грн
50+50.84 грн
100+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+86.86 грн
25+68.88 грн
50+61.01 грн
100+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF
Код товару: 113287
Додати до обраних Обраний товар

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+80.53 грн
100+54.06 грн
500+40.09 грн
1000+36.66 грн
2000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.01 грн
10+87.18 грн
100+55.19 грн
500+42.83 грн
1000+39.13 грн
2000+36.92 грн
4000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.82 грн
10+95.49 грн
25+91.10 грн
100+67.00 грн
250+61.42 грн
500+44.86 грн
1000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.95 грн
50+86.72 грн
250+65.97 грн
1000+45.02 грн
2000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.