Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF

IRF7842TRPBF Infineon Technologies

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.73 грн
8000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7842TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7842TRPBF за ціною від 30.22 грн до 139.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.44 грн
250+68.70 грн
1000+45.53 грн
2000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+86.66 грн
151+82.68 грн
197+63.06 грн
250+60.20 грн
500+42.41 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+87.67 грн
189+65.67 грн
200+63.36 грн
500+53.36 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.75 грн
10+67.78 грн
25+55.82 грн
50+49.44 грн
100+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.50 грн
10+84.46 грн
25+66.98 грн
50+59.33 грн
100+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF
Код товару: 113287
Додати до обраних Обраний товар

irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.35 грн
10+78.30 грн
100+52.56 грн
500+38.98 грн
1000+35.65 грн
2000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-3363160.pdf MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.28 грн
10+84.77 грн
100+53.66 грн
500+41.64 грн
1000+38.04 грн
2000+35.90 грн
4000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.95 грн
10+92.85 грн
25+88.58 грн
100+65.15 грн
250+59.72 грн
500+43.62 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : INFINEON irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.97 грн
50+84.33 грн
250+64.15 грн
1000+43.78 грн
2000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7842-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.