Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7853PBF

IRF7853PBF

Name: IRF7853PBF
Brand: IR
SKU: 50382
Price: 21 UAH
Availability: BackOrder

Код товару: 50382

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 100 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1640/28
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	21.00 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Інші пропозиції IRF7853PBF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IRF7853PBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IRF7853PBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.