IRF7853PBF
Код товару: 50382
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 8,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1640/28
Примітка: -
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7853PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7853PBF | Infineon |
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7853PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7853PBF | Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7853PBF |
|
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7853PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7853PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.