Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7853PBF
IRF7853PBF

IRF7853PBF

irf7853pbf-datasheet.pdf
Код товару: 50382
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 100 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1640/28
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+21.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7853PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7853PBF Infineon irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF IRF7853PBF Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF IRF7853PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3166183.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
IRF7853PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3166183.pdf
IRF7853PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.