Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.49 грн
8000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 27.75 грн до 142.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.79 грн
8000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.48 грн
8000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.29 грн
227+53.75 грн
264+46.11 грн
270+43.51 грн
500+35.37 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+59.05 грн
12+50.42 грн
25+49.91 грн
100+41.28 грн
250+37.41 грн
500+31.53 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.07 грн
500+52.75 грн
1000+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.68 грн
10+68.65 грн
27+34.63 грн
73+32.72 грн
2000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 10103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+77.67 грн
100+55.69 грн
500+42.37 грн
1000+38.79 грн
2000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.41 грн
10+85.55 грн
27+41.56 грн
73+39.26 грн
2000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.37 грн
10+90.56 грн
100+69.07 грн
500+52.75 грн
1000+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.99 грн
10+97.90 грн
100+59.30 грн
500+47.48 грн
1000+42.05 грн
2000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.