Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 27.88 грн до 148.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.67 грн
8000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.67 грн
8000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.56 грн
227+54.01 грн
264+46.33 грн
270+43.72 грн
500+35.54 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+59.34 грн
12+50.66 грн
25+50.15 грн
100+41.48 грн
250+37.59 грн
500+31.68 грн
1000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.86 грн
500+54.88 грн
1000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 9971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.36 грн
10+70.94 грн
100+51.07 грн
500+41.25 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACADC1744FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7853pbf.pdf?ci_sign=762e5bbe579c52533e9d1ea151045720ed42c301 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.05 грн
10+71.42 грн
26+36.03 грн
72+34.04 грн
2000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACADC1744FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7853pbf.pdf?ci_sign=762e5bbe579c52533e9d1ea151045720ed42c301 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.66 грн
10+89.00 грн
26+43.23 грн
72+40.85 грн
2000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.75 грн
10+94.21 грн
100+71.86 грн
500+54.88 грн
1000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.75 грн
10+101.85 грн
100+61.69 грн
500+49.40 грн
1000+43.75 грн
2000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.