
IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 33.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 27.75 грн до 142.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V |
на замовлення 9971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRF7853TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |