Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF7853TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1928518-3
Price: 135880.00 UAH
Availability: InStock

irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	33.97 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 30.53 грн до 107.42 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	38.40 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	40.33 грн
8000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 19179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
282+	44.19 грн
300+	41.54 грн
318+	39.22 грн
500+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 282

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
236+	52.72 грн
239+	52.20 грн
276+	45.19 грн
278+	43.15 грн
500+	36.94 грн
1000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 236

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	59.13 грн
14+	53.64 грн
25+	53.11 грн
100+	45.11 грн
250+	41.35 грн
500+	37.03 грн
1000+	32.71 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	72.22 грн
500+	55.15 грн
1000+	45.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	99.85 грн
12+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V

на замовлення 8022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	102.09 грн
10+	65.30 грн
100+	48.36 грн
500+	40.66 грн
1000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf

MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg

на замовлення 3357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	107.42 грн
10+	75.53 грн
100+	48.72 грн
500+	43.43 грн
1000+	39.67 грн
2000+	39.36 грн
4000+	34.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

IRF7853TRPBF SMD N channel transistors

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	106.91 грн
27+	43.45 грн
72+	41.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7853TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.