IRF7853TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 34.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 31.32 грн до 121.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 19179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V |
на замовлення 8022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg |
на замовлення 3357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7853TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7853TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7853TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |