Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 34.49 грн до 121.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.57 грн
8000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+49.92 грн
300+46.92 грн
318+44.30 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+59.56 грн
239+58.97 грн
276+51.05 грн
278+48.74 грн
500+41.73 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.35 грн
14+56.56 грн
25+56.00 грн
100+47.56 грн
250+43.59 грн
500+39.04 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.62 грн
10+74.64 грн
100+50.25 грн
500+37.34 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+45.57 грн
8000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
282+49.92 грн
300+46.92 грн
318+44.30 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
236+59.56 грн
239+58.97 грн
276+51.05 грн
278+48.74 грн
500+41.73 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.35 грн
14+56.56 грн
25+56.00 грн
100+47.56 грн
250+43.59 грн
500+39.04 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+74.64 грн
100+50.25 грн
500+37.34 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF 138199.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.