Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 38.26 грн до 160.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.52 грн
8000+47.50 грн
12000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.56 грн
8000+47.54 грн
12000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
10+76.95 грн
100+52.52 грн
250+45.90 грн
500+41.83 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies infineonirf7853datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.35 грн
50+108.48 грн
100+97.23 грн
500+74.72 грн
4000+54.74 грн
12000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 6392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+98.73 грн
50+74.72 грн
100+62.86 грн
500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+52.52 грн
8000+47.50 грн
12000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+52.56 грн
8000+47.54 грн
12000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.65 грн
10+76.95 грн
100+52.52 грн
250+45.90 грн
500+41.83 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF infineonirf7853datasheetv0101en.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.35 грн
50+108.48 грн
100+97.23 грн
500+74.72 грн
4000+54.74 грн
12000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 6392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.17 грн
10+98.73 грн
50+74.72 грн
100+62.86 грн
500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF 138199.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF 138199.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.