IRF7854TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7854TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm.
Інші пропозиції IRF7854TRPBF за ціною від 39.89 грн до 157.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 316000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
на замовлення 14208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg |
на замовлення 4754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 46.95 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 47.13 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 50.50 грн |
| 25+ | 49.71 грн |
| 100+ | 47.17 грн |
| 250+ | 42.97 грн |
| 500+ | 40.57 грн |
| 1000+ | 39.89 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 279+ | 50.50 грн |
| 283+ | 49.71 грн |
| 288+ | 48.92 грн |
| 292+ | 46.40 грн |
| 500+ | 42.26 грн |
| 1000+ | 39.89 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 260+ | 54.14 грн |
| 261+ | 53.85 грн |
| 264+ | 53.29 грн |
| 266+ | 51.03 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 55.47 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 71.34 грн |
| 160000+ | 65.19 грн |
| 240000+ | 60.65 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.02 грн |
| 10+ | 96.66 грн |
| 100+ | 65.56 грн |
| 500+ | 49.03 грн |
| 1000+ | 45.01 грн |
| 2000+ | 42.59 грн |
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7854TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)