Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7854TRPBF
IRF7854TRPBF

IRF7854TRPBF Infineon Technologies

irf7854pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c559a1d29
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7854TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm.

Інші пропозиції IRF7854TRPBF за ціною від 38.41 грн до 161.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7854_DataSheet_v01_01_EN-3362876.pdf MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.53 грн
10+59.33 грн
100+45.18 грн
500+43.21 грн
1000+40.03 грн
2000+38.77 грн
4000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF INFINEON IRSDS17121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.63 грн
50+83.05 грн
250+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Infineon Technologies irf7854pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c559a1d29 Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.76 грн
10+99.57 грн
100+67.54 грн
500+50.50 грн
1000+46.36 грн
2000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF Infineon_IRF7854_DataSheet_v01_01_EN-3362876.pdf
IRF7854TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.53 грн
10+59.33 грн
100+45.18 грн
500+43.21 грн
1000+40.03 грн
2000+38.77 грн
4000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF IRSDS17121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7854TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+126.63 грн
50+83.05 грн
250+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF irf7854pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c559a1d29
IRF7854TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.76 грн
10+99.57 грн
100+67.54 грн
500+50.50 грн
1000+46.36 грн
2000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.