IRF7855PBF (транзистор) Infineon
Код товару: 49589
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7855PBF (транзистор) за ціною від 46.97 грн до 312.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7855PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF7855PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IRF7855PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7855PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC |
товару немає в наявності |